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光刻机的研发难度非常大,虽然全球仅有asml可以生产出先进光刻机,然而asml自身也无法完全搞定整个光刻机元件,它自己仅能完成其中10%的零部件,其他零部件需要全球20多个国家的5000多家企业配合,由此可见光刻机这条产业链多么长。对于芯片制造工艺来说,14纳米光刻机并不仅限于生产14纳米工艺,通过多重曝光技术可以实现接近7纳米的工艺,其实此前台积电和三星都并非是从14纳米一步迈进到7纳米,还研发了10纳米、8纳米等工艺,甚至在7纳米工艺上也有7纳米和7纳米euv之分,故以14纳米光刻机生产接近7纳米工艺的芯片是有可能的。
光刻机已是当下中国芯片制造的最大瓶颈,为此中国芯片产业链一直都在共同努力,力求打破这一难关,而哈工大公布的光刻机技术将有助于打破这个环节,国产芯片的先进工艺问题将因此得以解决。
中国的光刻机研发进展落后于其他环节,恰恰就在于产业链需要逐步完善,由于众所周知的原因,中国不仅难以买到先进光刻机,连先进光刻机的元件都难以买到,迫使我们建设自己的光刻机产业链。
此前在国内产业链的支持下,已逐步解决了双工作台、物镜系统、激光光源等诸多光刻机零部件,这次哈工大研发的“高速超精密激光干涉仪”,这项技术是14纳米光刻机的重要技术,可以确保掩膜工作台、双工作台和物镜系统之间复杂的相对位置,实现光刻机的整体套刻精度,可以确保诸多元件整合成系统后的芯片工艺精度,已是光刻机的最后技术之一,也意味着国产先进光刻机即将完成最后的步骤。
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